[an error occurred while processing this directive] 
.цв
СОДЕРЖАНИЕ
.ов
                                              Лист
1. Введение                                      3
2. Назначение программы                          4
3. Условия выполнения программы                  5
4. Выполнение программы и сообщения оператору    6
5. Управление прохождением теста                16
.сс
.цв
1.ВВЕДЕНИЕ 
.ов
Тест оперативной памяти представляет собой автономный тест, обеспечивающий проверки схем управления памяти, регенерации памяти и непосредственно микросхем памяти в различных режимах.
Тест может функционировать как в автономном режиме, так и в составе комплексного теста Фг.00033-01 12 01.
.сс
.цв
2.НАЗНАЧЕНИЕ ПРОГРАММЫ
.ов
Тест оперативной памяти предназначен для проверки логики управления памятью и микросхем ячейки процессора, памяти и интерфейса (ЯПИ) ЯБ3.089.026 и ячейки оперативной памяти (ЯОП) Фг3.089.170, далее по тексту просто ячейки памяти.
Тест может функционировать как в автономном режиме, так и в составе комплексного теста Фг.00033-01 12 01.
Тест осуществляет следующие проверки:
управление памятью -             на экране - ЛОГ.;
регенерация памяти -                       - РЕГ.;
режим "Марш" -                             - МАРШ;
режим "Нониус" -                           - НОН.;
режим "Бегающие ноль и единица" -          - <01>.
Проверка управления памятью предназначена для анализа правильности функционирования логики переключения банков, микросхем КР580РУ8 и работы памяти в режиме эмулятора ПЗУ.
Проверка регенерации памяти предназначена для анализа функционирования механизма регенерации динамической памяти.
Тесты "Марш", "Нониус", "Бегающие 0/1" предназначены для проверки непосредственно микросхем памяти, обнаружения замыканий по шинам адреса или данных и других неисправностей.
.сс
.цв
3.УСЛОВИЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ПРОГРАММЫ
.ов
Для выполнения теста оперативной памяти в автономном режиме необходимо иметь:
ПЭВМ "АГАТ" исполнения 9;
гибкий магнитный диск, содержащий программу теста Фг.00033-01 12 02.
Запуск теста в автономном режиме осуществляется по автостарту ПЭВМ "АГАТ".
Условия выполнения теста оперативной памяти в составе комплексного теста изложены в Фг.00033-01 34 01.
.сс
.цв
4.ВЫПОЛНЕНИЕ ПРОГРАММЫ И СООБЩЕНИЯ ОПЕРАТОРУ
.ов
4.1. Отображение информации о ходе проверки
После запуска программы на экране появляется изображение, в котором дана исходная информация о тесте.
В верхней части экрана находятся счетчики ошибок, разделенные на колонки, озаглавленные сокращенными названиями соответствующих этим счетчикам тестов. Таким образом, количество ошибок на разных тестах отображается в разных колонках. Если проверяются несколько ячеек памяти, то в каждой колонке будет несколько строк. Количество ошибок, обнаруженных в разных ячейках, будет отображаться в разных строках счетчиков. Слева от счетчиков указывается номер разъема ячейки, информация о которой отображается в данной строке.
Ниже счетчиков расположена зона ошибок микросхем памяти, разделенная по вертикали на колонки (см.п.4.3). В этой зоне выдаются сообщения об ошибках в тестах, проверяющих микросхемы (см.пп.4.3.1-4.3.5). Еще ниже находится зона сообщений о логических ошибках (см.п.4.2). Она озаглавлена "ОШИБКИ УПРАВЛЕНИЯ".
Еще ниже, в середине экрана, находится указатель банка, в котором в настоящее время располагается программа теста и экран. Эта информация нужна постольку, поскольку на каждом очередном цикле теста программа перемещается в очередной банк ЯПИ с номером 0-7, в котором не было ошибок.
Еще ниже находятся строки (строка, если проверяется только ЯПИ), в которых инверсией отображаются банки, которые проверяются в данный момент, красным цветом - банки, в которых были обнаружены ошибки. По движению курсора в этих строках можно следить за прохождением теста.
Под строками банков даны номер текущего цикла теста и текущая контрольная сумма программы теста, которая пересчитывается по каждой ошибке, либо при переходе к следующему циклу. При нормальной работе теста эта сумма равна нулю, в противном случае в программе теста возникли ошибки, о чем выдается сообщение во второй строке экрана ("ОШИБКА КОНТРОЛЬНОЙ СУММЫ").
Слева и справа в нижней части экрана вертикально отображаются ряды микросхем проверяремых ячеек памяти, над которыми указаны соответствующие  этим ячейкам памяти номера разъемов. В этих рядах, для удобства определения неисправностей, звездочкой (*) отмечаются микросхемы содержащие ошибки.
4.2. Проверка управления памятью
Проверка управления памятью осуществляется для ЯПИ и всех ЯОП, установленных в системный блок. Поиск ячеек памяти осуществляется автоматически. Необнаружение ячейки говорит о ее неисправности.
Сообщения об ошибках выдаются в зоне ошибок управления. Счетчики ошибок в колонке "ЛОГ." Информация о неисправности микросхем не выдается. Проверка осуществляется в несколько этапов. В случае "зависания" теста текущий этап можно определить по информации, высвечиваемой в левой части строки с надписью "ОШИБКИ УПРАВЛЕНИЯ" в формате "номер этапа" "номер разъема".
4.2.1. На этапе 0 происходит подключение физических банков 0-7 ЯПИ на адреса ¤2000-¤3FFF, перепись теста и экрана в очередной банк, затем подключение этого банка на адреса ¤0000-¤1FFF.
При этом происходит проверка правильности информации в микросхеме КР580РУ8. В случае обнаружения несоответствия выдается сообщение об ошибке типа 00.
При этой ошибке на экран выдается информация в следующем формате:
тип ошибки;
обращение, по которому читалась информация из КР580РУ8;
информация, прочитанная из КР580РУ8;
эталонная информация.
4.2.2. На этапе 1 происходит роспись в КР580РУ8 ЯПИ информации от ¤FF до ¤10 и ее проверке. Возможна ошибка типа 01. Формат выдаваемой информации как при ошибке 00.
4.2.3. На этапе 2 (только при наличии ЯОП) происходит запись в КР580РУ8 очередной ЯОП информации от ¤FF до ¤90 (включение физических банков 0-¤F на адреса логических банков 1-¤F), проверка КР580РУ8, затем гашение старшего разряда КР580РУ8 (выключение банка). При несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 02.
Формат сообщения  такой же как при ошибке типа 00.
4.2.4. На этапе 3 (только при наличии ЯОП) происходит запись в КР580РУ8 очередной ЯОП информации от ¤7F до 00 и ее проверка. В случае несоответствия выдается сообщение об ошибке типа 03.
Формат сообщения такой же, как при ошибке типа 00.
4.2.5. На этапе 4 происходит поочередное подключение всех банков всех ячеек памяти (начиная с ЯПИ и далее в сторону увеличения номера разъема для ЯОП) на адрес ¤2000, запись по адресу ¤2400 номера банка в формате SN, где S - номер разъема текущей ячейки памяти, N - номер физического банка. Сразу после записи происходит  проверка, при несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 50.
В дополнение к информации, выдаваемой при ошибке типа 00 выдается:
адрес, по которому читался номер банка;
прочитанный номер банка;
требуемый (эталонный) номер банка.
Затем происходит подключение на адреса ¤4000-¤5FFF физического банка ¤F ЯПИ. Проверяется правильность подключения, при несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 51.
Формат тот же, что при ошибке 50.
4.2.6. На этапе 5 (только если есть ЯОП) происходит поочередное подключение физического банка ¤F ЯОП, начиная от младшего разъема к старшему и проверка правильности подключения (проверка блокировки). При несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 52.
Формат сообщения тот же,что при ошибке 50.
4.2.7. На этапе 6 проверяется правильность подключения физических банков различных ячеек памяти на логические банки 1-5 (адреса ¤2000-¤BFFF).В случае неправильного подключения выдается сообщение об ошибке типа 53.
Формат сообщения тот же, что при ошибке 50.
4.2.8. На этапе 7 происходит проверка подключения физических банков на логический банк 6 и проверка правильности функционирования этих банков и ячеек в режиме эмуляции ПЗУ.
Возможности возникновения ошибок и формат выдаваемой с ними информации изложен ниже.
При подключении очередного банка на адреса ¤D000-¤DFFF память этого банка делится на 2 участка: основной и дополнительный (¤0-¤FFF и ¤1000-¤1FFF).
Включением логики управления эмулятора ПЗУ определяется какой из них находится на доступе и режим работы эмулятора (разрешение записи и чтения памяти или ПЗУ). Проверка осуществляется путем перебора различных режимов и анализа их работы.
Сначала включается основной участок в режиме чтение разрешено (ЧР)/запись разрешена (ЗР).
Проверяется правильность подключения банка, для чего по адресу ¤D400 читается его адрес. Возможна ошибка типа 60, со следующим форматом сообщения:
тип (код) ошибки;
адрес обращения к КР580РУ8 для подключения банка;
информация, прочитанная по этому адресу;
эталонная информация;
адрес включения режима псевдоПЗУ;
прочитанная по этому адресу информация;
прочитанный номер банка;
требуемый номер банка.
Далее по адресу ¤D401 записывается информация ¤А и проверяется правильность записи. При несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 61. Формат сообщения тот же, что при ошибке 61, но вместо прочитанного и требуемого номера банка выдается прочитанная по указанному адресу информация и ее эталон.
Затем, в режиме ЧР/ЗР включается дополнительный участок. По адресу ¤DFFF записывается информация ¤1А и проверяется правильность записи. При несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 62.
Далее происходит проверка режима ЧР, запись запрещена (ЗЗ), для чего в этом режиме включается основной участок и по адресу ¤D401 записывается код ¤А0 и проверяется, что прежняя информация ¤0А не нарушена. В случае ошибки выдается сообщение типа 63.
Затем проверяется режим чтение запрещено ЧЗ/ЗР. В этом режиме подключается основной участок банка памяти и по адресу ¤D401 записывается код ¤00. Далее производится чтение по этому адресу. Если читается информация отличная от ¤D4, выдается сообщение об ошибке типа 64.
Затем основной участок включается в режим ЧР/ЗЗ и производится чтение информации по адресу D401. Если прочитывается информация отличная от ¤00, то выдается сообщение об ошибке типа 65.
Формат сообщений об ошибках 62-65 те же, что при ошибке типа 61.
4.2.9. На этапе 8 производится проверка подключения различных физических банков различных ячеек памяти на адреса логического банка 7 (¤E000-¤FFFF) и проверка правильности их функционирования  в режиме эмуляции ПЗУ.
Включается режим ЧР/ЗР и по адресу ¤Е400 читается номер поключенного банка. При несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 70. Формат сообщения тот же, что при ошибке типа 60.
Затем по адресу ¤E401 производится запись кода ¤55 с последующей проверкой. При несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 71.
Затем проверяется режим ЧР/ЗЗ , для чего после включения этого режима по адресу ¤E401 производится запись кода ¤АА и затем чтение с этого адреса. Если информация отличается от ¤55 - выдается сообщение об ошибке типа 72.
Далее включается режим ЧЗ/ЗР и производится чтение информации по адресу ¤E401. Если считывается информация отличная от ¤E4, то выдается сообщение об ошибке типа 73.
Затем, по тому же адресу записывается информация ¤АА и включается режим ЧР/ЗЗ. Производится чтение по адресу ¤E401. Если информация отличается от ¤АА, то выдается сообщение об ошибке типа 74. Формат сообщений об ошибках 71-74 тот же, что при ошибке типа 61.
При проведении проверок на этапах 7 и 8, при каждом переключении режима работы псевдоПЗУ, производится проверка правильности переключения, для чего по адресу обращения читается состояние псевдоПЗУ. При несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 66. Формат сообщения следующий:
тип ошибки;
адрес обращения для переключения режима работы псевдоПЗУ;
прочитанная информация;
эталонная информация.
4.2.10. На этапе 9 производится проверка системы прерываний ПЭВМ "АГАТ" исполнения 9. Возможны следующие типы ошибок: 80, 81, 82, 83.
Ошибка 80 - НЕТ ПРЕРЫВАНИЯ IRQ - говорит о том, что не работает прерывание IRQ.
Ошибка 81 - НЕТ ПРЕРЫВАНИЯ NMI - свидетельствует о неисправности в прерываниях NMI.
Ошибка 82 - НЕ МАСКИРУЕТСЯ IRQ -говорит о неисправности микропроцессора.
Ошибка 83 - ПРЕРЫВАНИЯ НЕ ВЫКЛЮЧАЮТСЯ - говорит об ошибках в логике выключений прерываний. При этой ошибке выдается указание "НАЖМИТЕ СБРОС". Для продолжения теста после ошибки 66 необходимо одновременно нажать клавиши УПР и СБР.
4.3. Проверки микросхем динамической памяти
.ов
Микросхемы динамической памяти проверяются с помощью тестов "Регенерация", "Нониус", "Марш", "Бегающий 0" и "Бегающая 1".
Тесты проверяют как ЯПИ так и все ЯОП. Сообщения об ошибках выдаются под счетчиками в зоне экрана выше зоны ошибок управления. Коды ошибок: старший полубайт - номер теста.
При обнаружении ошибки происходит поиск и отображение на экране неисправной микросхемы по адресу и разряду ошибки.
Во время работы теста проверяемые банки с разных ячеек памяти ставятся на адреса: ¤2000-ЯПИ; ¤4000, ¤6000 и т.д. - ЯОП в порядке возрастания номера разъема. Текущие проверяемые банки отображаются инверсией в соответстующих строках перечня банков на экране.
4.3.1. Счетчики ошибок регенерации отображаются в колонке с шапкой "РЕГ." и делятся по ячейкам в зависимости от строки в колонке. Тест осуществляется следующим образом:
1) происходит роспись памяти повторяющейся последовательностью байт: ¤F0, ¤0F, ¤0F, ¤F0. При записи очередного байта производится проверка правильности записи. При обнаружении несоответствия выдается сообщение об ошибке типа 11;
2) процессор останавливается путем выполнения команды с кодом 02. На экране появляется сообщение:
.цв
"ДОСЧИТАЙТЕ ДО 10 И НАЖМИТЕ СБРОС."
.ов
После нажатия клавиш "УПР-СБР" происходит проверка сохранности записанной ранее информации. При несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 21.
4.3.2. Счетчики ошибок на тесте "Марш" отображаются в колонке с шапкой "Марш".
Проверка осуществляется  следующим образом:
1) вся память расписывается кодом 00 с проверкой правильности записи. При несоответствии выдается ошибка типа 21;
2) производится считывание информации по текущему проверяемому адресу. При несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 22;
3) по тому же текущему адресу производится запись кода FF с проверкой. При несоответствии - ошибка типа 21;
4) происходит переход к следующему адресу. При необходимости происходит подключение очередного физического банка памяти.
Процедуры, описанные в подпунктах 2-4 повторяются до тех пор, пока не будут проверены все адреса памяти.
Процедура, описанная в подпунктах 2-4) повторяется для кодов ¤55 и ¤АА.
Таким образом, при прохождении теста "Марш" происходит побайтная смена информации в последовательности ¤00-¤FF-¤55-¤AA.
4.3.3. Счетчики ошибки на тесте "Нониус" отображаются в колонке с шапкой "0". По данному тесту в непрерывно увеличивающуюся на 1 последовательность адресов происходит запись увеличивающейся на 1 информации за исключением случая, когда записываемая информация равна номеру текущего проверяемого банка. Например, если проверяется банк 2, то в диапазон адресов начиная с ¤2000 будет записано: ¤2000: 00 01 03 04 ..., а в ¤2100 будет уже ¤2100: 01 03 04 ... . При записи каждого байта происходит проверка правильности. При несоответствии выдается сообщение об ошибке типа 31.
По окончании росписи всей памяти происходит считывание и анализ информации. При несоответствии - ошибка типа 32.
4.3.4. Счетчики ошибок на тестах "Бегающий 0", Бегающая 1" отображаются в колонке с шапкой "<01>". Тест заключается в последовательной росписи кодов ¤01, ¤02, ¤04, ¤08, ¤10, ¤20, ¤40, ¤80, ¤FE, ¤FD, ¤FB, ¤F7, ¤EF, ¤DF, ¤BF, ¤7F в режиме аналогичном тесту "Марш". В случае обнаружения неисправности при проверке информации непосредственно после записи выдается сообщение об ошибке типа 41, если несоответствие обнаруживается при чтении перед записью новой информации, выдается сообщение об ошибке типа 42.
Формат ошибок 10 - 42 следующий:
тип ошибки;
номер разъема;
проверяемый и прочитанный из КР580РУ8П банк;
текущий адрес;
прочитанная информация;
эталонная информация.
.сс
.цв
5. УПРАВЛЕНИЕ ПРОХОЖДЕНИЕМ ТЕСТА
.ов
5.1.Режим комплексного теста
В случае, когда тест памяти запускается как часть комплексного теста, количество проходов определяется режимом комплексного теста и количеством проверяемых ячеек памяти.
В зависимости от режима комплексного теста проверка регенерации может не входить в состав теста памяти. При этом не отображаются соответствующие счетчики. Никакие действия оператора не влияют на работу теста
5.2. Режим автономного теста
В случае запуска теста в автономном режиме, работают все виды проверок. Количество циклов не ограничено. Тест может быть завершен нажатием функциональной клавиши ".".
Во время работы теста в автономном режиме оператор может управлять прохождением теста путем нажатия функциональных клавиш.
Нажатием функциональных клавиш 1, 2, 3, 4, 5 можно включить/выключить из состава проверок проверки логики, регенерации, "Нониус", "Марш" или "Бегающие 0/1" соответственно.
Нажатием функциональной клавиши "0" включается/выключается режим "стоп по ошибке".
Функциональной клавишей "=" инициируется внеочередная проверка контрольной суммы программы тестирования.
5.3. Критерий правильности прохождения теста
В режиме проверки по комплексному тесту ПЭВМ "АГАТ" считается прошедшей проверку по тесту памяти, если по окончании работы теста на экране появляется сообщение:
.цв
ОШИБОК НЕ ОБНАРУЖЕНО
.ов
В автономном режиме ПЭВМ "АГАТ" считается прошедшей проверку по тесту памяти, если после прохождения требуемого количества циклов (не менее 3) на экране после нажатия клавиши "." появляется сообщение:
.цв
ОШИБОК НЕ ОБНАРУЖЕНО
При обнаружении неисправностей в обоих случаях выдается сообщение:
.цв
ОБНАРУЖЕНЫ ОШИБКИ
.ов
5.3. Непредвиденные ситуации.
Во время нормальной работы теста не должно быть ситуаций, отличных от описанных в документе Фг.00033-01 34 02 или в настоящем руководстве. Возникновение таких ситуаций (зависание программы, искажение информации на экране и т.п.) означает неисправность проверяемой ПЭВМ.
[an error occurred while processing this directive]